Características:
Fabricante: Toshiba
Tipo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Modelo: MG50Q1BS11
Configuração: Tipo N
Tensão Máxima de Coletor-Emissor (Vce): 600 V
Corrente Máxima de Coletor (Ic): 50 A
Tempo de Comutação (Ton/Toff): Baixo, adequado para aplicações de alta frequência
Condução de Saturação: Baixo, reduz perdas de energia
Dissipação de Potência: Alta capacidade de dissipação térmica
Pacote: DCB (Direct Copper Bond)