Características Principais:
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Modelo: SKM400GB12T4
Tensão máxima de bloqueio: 1200V
Corrente máxima: 400A
Encapsulamento: Pacote de plástico com placa de base metálica
Configuração: N-chanel, Half-Bridge
Tecnologia: IGBT de alta potência
Especificações Elétricas:
Tensão máxima de bloqueio: 1200V
Tensão de coletor-emissor (VCE): 1.8V (a corrente nominal)
Corrente contínua do coletor (IC): 400A
Corrente de pulso do coletor (ICP): 800A (pulso único)
Tensão de saturação do coletor-emissor (VCEsat): 2.9V (a corrente nominal)
Tensão de limiar do IGBT (VGE(th)): 4.5V (máx.)
Capacitância de entrada (Cies): 90nF (típico)
Capacitância de saída (Coes): 1.2μF (típico)
Temperatura máxima de junção (Tj): 150°C
Temperatura de operação (TOP): -40°C a 125°C
Características Mecânicas:
Encapsulamento: Pacote de plástico com placa de base metálica
Peso: Aproximadamente 125g
Características de Proteção:
Proteção contra curto-circuito
Proteção contra sobretensão
Proteção contra sobrecorrente
Aplicações:
Acionamento de motores
Fontes de alimentação comutadas
Inversores de frequência
Sistemas de controle de potência