Especificações Gerais:
Modelo: SKM145GB066D
Tipo de Módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Fabricante: Semikron
Tensão Máxima de Bloqueio: 1.200V
Corrente Máxima de Coletor: 320A
Potência Máxima: 900W
Número de Polos: 6
Configuração: Half Bridge (Meia Ponte)
Encapsulamento: Case G-Plus
Características Elétricas:
Tensão de Coletor-Emissor (Vces): 1.200V
Tensão de Disparo (Vge): 20V
Tensão Máxima de Comutação (Vce): 1.700V
Corrente de Coletor Contínua (Ic): 320A
Corrente de Coletor de Pico (Icp): 640A
Corrente de Disparo (Ige): 100mA
Corrente de Curto Prazo (Icm): 480A
Resistência Térmica de Junção a Caso (RthJC): 0,06°C/W
Resistência Térmica de Junção a Ambiente (RthJA): 0,3°C/W
Temperatura de Operação (Tj): -40°C a 150°C
Temperatura de Armazenamento (Tstg): -40°C a 125°C
Características Mecânicas:
Peso: 110g
Dimensões (C x L x A): 95mm x 34mm x 30mm
Material do Encapsulamento: Cerâmica
Montagem: Montagem em Painel
Terminais: Pinos de Solda
Grau de Proteção: IP20 (Proteção contra objetos sólidos com diâmetro superior a 12,5mm)