Especificações Técnicas:
Modelo: CM400DY-24NF
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Tensão nominal do coletor: 1,200 V
Corrente nominal do coletor: 400 A
Tensão de saturação do coletor-emissor: 2,5 V (máximo)
Corrente de saturação do coletor-emissor: 800 A (máximo)
Potência dissipada: 750 W
Tipo de montagem: Montagem em placa (embutida)
Temperatura de operação: -40 °C a +150 °C
Peso: Aproximadamente 160 g
Características Elétricas:
Tensão de acionamento (VGE): ±20 V
Corrente de acionamento (IGE): 200 mA
Resistência térmica do junction-to-case (RthJC): 0,31 °C/W
Resistência térmica do case-to-sink (RthCS): 0,07 °C/W
Capacitância de entrada (Cies): 15,000 pF
Capacitância de saída (Coes): 4,000 pF
Capacitância de transferência (Cres): 4,000 pF
Tempo de subida (tr): 350 ns (máximo)
Tempo de descida (tf): 250 ns (máximo)
Características Mecânicas:
Dimensões: 62,8 mm x 38,6 mm x 17,3 mm (comprimento x largura x altura)
Material do encapsulamento: Alumínio
Montagem: Conexão por parafusos ou solda
Terminais: Terminais de conexão com parafuso
Isolação: Isolamento elétrico entre o módulo e o dissipador de calor