Especificações Gerais:
Modelo: BSM300GB12T4
Tipo de Módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Tensão Máxima de Coletor-Emissor (Vces): 1200V
Corrente Máxima de Coletor Contínua (Ic): 300A
Corrente Máxima de Coletor de Pico (Icp): 600A
Potência Máxima de Dissipação (Pd): 2000W
Temperatura de Operação: -40°C a 150°C
Configuração: Meia ponte (Half Bridge)
Características Elétricas:
Tensão do Gate-Emissor (Vge): ±20V
Tensão de Saturação do Coletor-Emissor (Vce(sat)): 2,4V (a 300A)
Tensão de Threshold do Gate (Vth): 4,5V
Resistência Térmica Junction-Case (Rth(j-c)): 0,1°C/W
Resistência Térmica Case-Heatsink (Rth(c-h)): 0,08°C/W
Características Mecânicas:
Encapsulamento: Módulo
Peso:0,31kg
Recursos e Aplicações:
Os módulos IGBT BSM300GB12T4 são projetados para aplicações que requerem alta potência e comutação de alta velocidade.
Eles são amplamente utilizados em inversores de frequência, acionamentos de motores, fontes de alimentação, conversores de energia, entre outras aplicações de eletrônica de potência.
Os módulos IGBT são conhecidos por sua capacidade de controlar grandes correntes e tensões com eficiência, combinando as características dos transistores bipolares e dos transistores de efeito de campo.