Fabricante: Infineon 
Categoria de Produto: Módulos IGBT 
Produtos: Módulos de Silício IGBT 
Configuração: Hex 
Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max: 600 V 
Tensão de saturação coletor-emissor: 2,45 V 
Corrente Contínua do Coletor a 25 C: 226A 
Corrente de fuga do emissor-portão: 400 nA 
Pd - Dissipação de Potência: 700 W 
Pacote / Estojo: EconoPACK 3A 
Temperatura Mínima de Operação: - 40ºC 
Temperatura Máxima de Operação: + 125ºC 
Embalagem: Bandeja 
Marca: Tecnologias Infineon 
Altura: 17 milímetros 
Comprimento: 122 milímetros 
Tensão Máxima do Emissor da Porta: 20 V 
Estilo de montagem: Montagem do chassi 
Tipo de Produto: Módulos IGBT 
Subcategoria: IGBTs 
Tecnologia: Si 
Largura: 62 milímetros