Fabricante: Infineon    
Categoria de produto: Módulos IGBT    
Produto: IGBT Silicon Modules    
Configuração: Dual    
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor:1.7 kV    
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.6 V    
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 300 A    
Corrente de dispersão do gate - emissor: 200 nA    
Pd - Dissipação de potência: 1.25 kW    
Caixa / Gabinete: 62 mm    
Temperatura operacional mínima:    - 40 C    
Temperatura operacional máxima:    + 125 C    
Embalagem: Tray    
Marca: Infineon Technologies    
Altura: 30.5 mm    
Comprimento: 106.4 mm    
Tensão do emissor do gate máxima:    20 V    
Estilo de montagem: Chassis Mount    
Tipo de Produto: IGBT Modules        
Subcategoria: IGBTs    
Tecnologia: Si    
Largura: 61.4 mm