Características Elétricas:
Tipo de transistor: IGBT
Tensão máxima de bloqueio: 2500V
Corrente máxima de coletor: 23A
Número de pinos: 24
Configuração: H (half-bridge)
Características Físicas:
Encapsulamento: SMPD (Small Molded Package with Diagonal Leads)
Dimensões (L x A x P): 62 x 28,5 x 7,3 mm
Peso: 28 g
Outras Características:
Temperatura máxima de operação: -40°C a 150°C
Resistência térmica (case-sink): 0,5°C/W
Tempo de comutação: 180 ns (máximo)
Tensão máxima de saturação: 2,5V
Tensão de gate-emissor (máximo): +/- 20V
Aplicações:
Inversores de potência
Fontes de alimentação
Controle de motores
Sistemas de energia renovável
Iluminação de alta potência