Módulo BSM50GP120 1200v 50A

Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: Módulos IGBT
Produtos: Módulos de Silício IGBT
Configuração: Hex
Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max: 1200 V
Tensão de saturação coletor-emissor: 2,5 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 C: 80A
Corrente de fuga do emissor-portão: 300 nA
Pd - Dissipação de Potência: 360 W
Pacote / Estojo: EconoPIM3
Temperatura Mínima de Operação: - 40ºC
Temperatura Máxima de Operação: + 125ºC
Embalagem: Bandeja
Marca: Tecnologias Infineon
Altura: 17 milímetros
Comprimento: 122 milímetros
Tensão Máxima do Emissor da Porta: 20 V
Estilo de montagem: Montagem do chassi
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Largura: 62 milímetros
Parte # Aliases: SP000100379 BSM50GP120BOSA1
Unidade de peso: 386,175g