Características elétricas:
Tensão máxima de coletor-emissor (Vces): 1200V
Corrente máxima contínua de coletor (Ic): 500A
Corrente máxima de pulso de coletor (Icp): 1000A
Tensão máxima de gate-emissor (Vges): ±20V
Tensão de polarização máxima do gate-emissor (VGE): ± 30V
Resistência térmica do invólucro (case) para junção (junction) (RthJC): 0.17 °C/W
Resistência térmica do invólucro (case) para ambiente (RthCA): 0.04 °C/W
Características mecânicas:
Tipo de encapsulamento: Módulo
Dimensões do invólucro (case): 190mm x 105mm x 30mm
Peso: 640g
Outras características:
Tecnologia de fabricação: IGBT 3
Configuração do IGBT: Half-bridge
Temperatura máxima de operação: 150°C
Certificações: RoHS