Informações Gerais:
Fabricante: Semikron
Modelo: SKM400GAL125D
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Características Elétricas:
Tensão máxima de coletor-emissor (Vce): 1250V
Corrente contínua máxima de coletor (Ic): 400A
Corrente de pulso máxima de coletor (Icp): 1200A
Corrente máxima de curto-circuito (Isc): 4500A
Tensão de polarização máxima do gate-emissor (Vge): ±20V
Tensão máxima de circuito aberto do gate-emissor (Vge th): 5V
Tensão máxima de dissipação do gate-emissor (Pge): ±20W
Características Térmicas:
Resistência térmica do case ao dissipador (Rth(j-c)): 0,08°C/W
Resistência térmica do dissipador ao ambiente (Rth(c-a)): 0,08°C/W
Temperatura máxima de junção (Tj): 150°C
Temperatura máxima de operação (Tc): 80°C
Características Mecânicas:
Configuração do módulo: Half-bridge (Ponte completa)
Encapsulamento: Módulo de potência
Peso: 0,35kg
Características de Proteção:
Proteção contra curto-circuito
Proteção contra sobretensão
Proteção contra subtensão
Proteção contra sobrecorrente