Especificações Gerais:
Modelo: SKM300GAL12T4
Tipo de módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Aplicação: Eletrônica de potência
Características Elétricas:
Tensão máxima de coletor-emissor (Vces): 1200 V
Corrente máxima de coletor contínuo (Ic): 300 A
Corrente máxima de coletor de pico (Icp): 600 A
Tensão máxima de gate-emissor (Vges): ± 20 V
Tensão de threshold de gate-emissor (Vth): 5 V
Potência máxima dissipada (Pd): 600 W
Características Térmicas:
Resistência térmica do chip para o dissipador (Rth(j-c)): 0,12 °C/W
Resistência térmica do dissipador para o ambiente (Rth(c-a)): 0,03 °C/W
Temperatura de junção máxima (Tj): 150 °C
Temperatura de operação (Tc): -40 a +150 °C
Características Mecânicas:
Encapsulamento: Módulo de disco de cerâmica
Dimensões: Varia de acordo com o fabricante, geralmente são aproximadamente 120 mm x 62 mm x 18 mm (comprimento x largura x altura)
Peso: Varia de acordo com o fabricante, geralmente é em torno de 200 g
Outras Características:
Tempo de recuperação reversa do diodo (trr): Menor que 1,8 μs
Configuração: NPN
Proteção contra sobretensão e curto-circuito