Nome do produto: Módulo IGBT SKKT132/16E
Fabricante: NSEMIKRON 
Especificações técnicas:
Modelo: SKKT132/16E
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Tensão máxima de coletor-emissor (VCE): 1600V
Corrente contínua máxima do coletor (IC): 132A
Corrente de pulso máxima do coletor (ICP): 264A
Tensão de saturação máxima (VCE(sat)): 2,7V (a 125°C)
Tensão máxima de isolamento (VISO): 2500Vrms
Temperatura de operação: -40°C a +150°C
Número de pinos: 5
Configuração de pinagem: Pino 1 (G): Gate (Porta), Pino 2 (E1): Emitter (Emissor 1), Pino 3 (E2): Emitter (Emissor 2), Pino 4 (C): Collector (Coletor), Pino 5 (Cathode): Cathode (Cátodo)
Recursos e características:
Alta capacidade de comutação e controle de potência
Baixa tensão de saturação, o que resulta em menor dissipação de energia
Alta tensão de bloqueio, permitindo a operação em altas tensões
Proteção contra curto-circuito, sobretensão e sobrecorrente
Adequado para aplicações em sistemas de controle de motores, inversores de frequência, fontes de alimentação, entre outros