Descrição:
O módulo IGBT SEMIX201GD066HDS é um dispositivo semicondutor de potência que combina a capacidade de chaveamento rápido dos Transistores Bipolares de Porta Isolada (IGBT) com a capacidade de controle de tensão dos Transistores de Efeito de Campo de Metal-Oxido-Semicondutor (MOSFETs). Ele é projetado para aplicações que requerem alta potência e eficiência energética.
Características Principais:
Tensão Máxima de Coletor-emissor (Vce): 600V
Corrente Contínua de Coletor (Ic): 200A
Tensão de Alimentação do Gate (Vge): ±20V
Corrente de Alimentação do Gate (Ige): ±200mA
Resistência Térmica Junction-Case (RthJC): 0,16°C/W
Temperatura de Operação (Tj): -40°C a +150°C
Temperatura de Armazenamento (Tstg): -40°C a +125°C
Principais Aplicações:
Fontes de Alimentação
Inversores de Frequência
Controle de Motores
Sistemas de Energia Renovável (por exemplo, solar e eólico)
Eletrônica de Potência em Geral
Recursos Adicionais:
Alta eficiência e baixa perda de comutação
Proteção contra sobretensão e sobrecorrente
Alta velocidade de chaveamento
Isolamento galvânico entre o driver e o dispositivo de potência
Carcaça de montagem direta com sistema de resfriamento integrado
Design compacto e de fácil integração