Informações Gerais:
Nome do Produto: Módulo IGBT P080a2204
Modelo: P080a2204
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Aplicação: Utilizado em sistemas de controle de potência, como inversores, conversores de frequência, fontes de alimentação e outros dispositivos de alta potência.
Especificações Elétricas:
Tensão de Coletor-Emissor (VCE): 2200 V
Corrente de Coletor Contínua (IC): 80 A
Corrente de Coletor de Pico (ICP): 320 A
Tensão de Gate-Emissor (VGE): ±20 V
Potência Dissipada (PD): 800 W
Resistência Térmica Junção-Caso (RthJC): 0,38 °C/W
Temperatura de Operação (TOP): -40 °C a +150 °C
Características:
Baixa perda de comutação
Alta velocidade de comutação
Proteção contra sobrecorrente e sobretensão
Baixa impedância de saturação
Alta confiabilidade
Pinagem:
O módulo IGBT P080a2204 possui uma pinagem específica, que pode variar dependendo do fabricante. Aqui está um exemplo comum de pinagem:
Pin 1: Coletor (C)
Pin 2: Emissor (E)
Pin 3: Gate (G)
Pin 4: Coletor (C)
Pin 5: Emissor (E)
Pin 6: Gate (G)