Tensão de coletor-emissor (Vce): 1,7V
Tensão de isolamento (Viso): 2500V
Corrente máxima de coletor (IC): 310A
Corrente de saturação (ICsat): 600A
Corrente de curto-circuito (ICS): 5,5kA
Tensão máxima de saída (Vout): 1200V
Corrente máxima de saída (Iout): 310A
Temperatura de operação (Tj): -40°C a +150°C
Temperatura de armazenamento (Tstg): -40°C a +125°C
Tipo de encapsulamento: Módulo
Número de pinos: 7
Peso: 230g
Dimensões: 62mm x 140mm x 30mm
Tecnologia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Baixa perda de comutação
Alta confiabilidade e desempenho
Proteção contra curto-circuito e sobrecarga
Baixa impedância de saída

Aplicações:

Inversores de frequência
Fontes de alimentação chaveadas
Controle de motor
Conversores de energia renovável
Iluminação LED
Equipamentos de soldagem
Outras aplicações de alta potência