Fabricante: Infineon 
Categoria de produto: Módulos IGBT 
Produto: IGBT Silicon Modules 
Configuração: Single 
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1.2 kV 
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.7 V 
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 580 A 
Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA 
Pd - Dissipação de potência: 2 kW 
Caixa / Gabinete: 62 mm 
Temperatura operacional mínima: - 40 C 
Temperatura operacional máxima: + 125 C 
Embalagem: Tray 
Marca: Infineon Technologies 
Altura: 30.5 mm 
Comprimento: 106.4 mm 
Tensão do emissor do gate máxima: 20 V 
Estilo de montagem: Chassis Mount 
Tipo de Produto: IGBT Modules 
Série: Chopper IGBT3 - E3 
Subcategoria: IGBTs 
Tecnologia: Si 
Largura: 61.4 mm 
Peso unitário: 340 g