Modelo: FNA41560B2
Tensão máxima suportada: 600V
Corrente máxima suportada: 15A
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor - Transistor Bipolar de Porta Isolada)
Características elétricas:
Tensão de coletor-emissor (Vce): 600V
Corrente de coletor contínua (Ic): 15A
Tensão de gate-emissor (Vge): ±20V
Tensão de threshold de condução (Vge(th)): 4V típico
Resistência do estado ligado (Rce(on)): 0,5Ω típico
Características térmicas:
Temperatura máxima de operação (Tj): -40°C a 150°C
Resistência térmica junção-ambiente (RthJA): 50°C/W
Resistência térmica junção-case (RthJC): 5°C/W
Características mecânicas:
Tipo de encapsulamento: Módulo
Número de pinos: 7
Dimensões (L x A x P): 80x40x10mm