Características Principais:
Modelo: FF300R12KE3_B2
Tipo de componente: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor - Transistor Bipolar de Porta Isolada)
Tensão máxima de coletor-emissor (VCE): 1200V
Corrente máxima de coletor contínua (IC): 300A
Potência máxima dissipada (Ptot): 1950W
Temperatura máxima de junção (Tj): 150°C
Configuração: Half-Bridge (Meia Ponte)
Número de terminais: 6
Tecnologia de chaveamento: NPT (Non Punch Through)
Característica de comutação suave (Soft Switching)
Característica de baixa perda de condução
Características Elétricas:
Tensão de saturação do coletor-emissor (VCEsat): 2.2V (a corrente nominal)
Tensão de limiar de porta (VGE(th)): 5V (máx.)
Capacitância de entrada (Cies): 3.2nF
Capacitância de saída (Coes): 1.4nF
Capacitância de transferência (Cres): 0.9nF
Resistência térmica junção-caixa (RthJC): 0.17°C/W
Resistência térmica caixa-ambiente (RthCA): 0.05°C/W
Características Mecânicas:
Invólucro: Módulo
Dimensões (L x A x P): 140mm x 62mm x 30mm
Peso: 200g
Montagem: Com parafusos ou pinos de encaixe