Fabricante: Infineon    
Categoria de produto: Módulos IGBT    
Produto: IGBT Silicon Modules    
Configuração: Dual    
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 650 V    
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.55 V    
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 365 A    
Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA    
Pd - Dissipação de potência: 940 W    
Caixa / Gabinete: 62 mm    
Temperatura operacional mínima:    - 40 C    
Temperatura operacional máxima:    + 150 C    
Embalagem: Tray    
Marca:    Infineon Technologies    
Tensão do emissor do gate máxima:    20 V    
Estilo de montagem: Chassis Mount    
Tipo de Produto: IGBT Modules    
Subcategoria: IGBTs    
Tecnologia: Si    
Nome comercial:    TRENCHSTOP    
Peso unitário:    340 g