Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Módulos IGBT
Produto: IGBT Silicon Modules
Configuração: Dual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.75 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 150 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 100 nA
Pd - Dissipação de potência: 790 W
Caixa / Gabinete: Module
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Tray
Marca: Infineon Technologies
Tensão do emissor do gate máxima: 20 V
Estilo de montagem: SMD/SMT
Tipo de Produto: IGBT Modules
Série: Trench/Fieldstop IGBT4 - T4
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Aliases de núm de peça: SP000624908 FF150R12RT4HOSA1
Peso unitário: 160 g