Especificações Principais:

Modelo: DDB6U144N16R
Tensão Máxima: 1600V
Corrente Máxima: 154A
Características Gerais:

Tipo de Módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor - Transistor Bipolar de Porta Isolada)
Aplicação: O módulo DDB6U144N16R é projetado para uso em sistemas de potência, como inversores de frequência, conversores de energia e outros equipamentos que requerem alta tensão e corrente.
Especificações Elétricas:

Tensão Máxima de Bloqueio: 1600V
Tensão de Coletor-Emissor (Vce): 2,1V (a corrente de coletor nominal)
Corrente de Coletor Contínua (Ic): 154A (a temperatura do case de 25°C)
Corrente de Pico de Coletor (Icp): 308A (pulso de corrente de 5µs, f < 10kHz)
Corrente de Base (Ib): 6,0A (pulso de corrente de 5µs, f < 10kHz)
Ganho de Corrente (hFE): 9,0 (a corrente de coletor nominal)
Capacitância de Entrada (Cies): 19.000pF (Vce = 25V, Vge = 0V, f = 1MHz)
Capacitância de Saída (Coes): 400pF (Vce = 25V, Vge = 0V, f = 1MHz)
Capacitância de Transição (Coes): 2400pF (Vce = 400V, Vge = 0V, f = 1MHz)
Características Térmicas:

Temperatura de Operação Máxima (Tj): -40°C a +150°C
Resistência Térmica Junção-Case (RthJC): 0,62°C/W
Proteções e Recursos Adicionais:

Curto-Circuito: O módulo possui proteção contra curto-circuito, desligando-se automaticamente em caso de sobrecorrente.
Sobretemperatura: O módulo possui proteção contra sobreaquecimento, desligando-se automaticamente em caso de temperatura excessiva.
Subtensão: O módulo possui proteção contra subtensão, desligando-se automaticamente em caso de queda de tensão abaixo de um limite seguro.