Categoria de produto: Módulos IGBT
Produto: IGBT Silicon Modules
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.1 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 600 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 1 uA
Pd - Dissipação de potência: 3670 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Marca: Mitsubishi Electric
Tensão do emissor do gate máxima: 20 V
Estilo de montagem: Screw
Tipo de Produto: IGBT Modules
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si