Fabricante: Mitsubishi Electric    
Categoria de produto:Módulos IGBT        
Produto:IGBT Silicon Modules    
Configuração: Dual    
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1.2 kV    
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.8 V    
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 450 A    
Corrente de dispersão do gate - emissor: 500 nA    
Pd - Dissipação de potência: 3405 W    
Temperatura operacional mínima:    - 40 C    
Temperatura operacional máxima:    + 150 C    
Marca: Mitsubishi Electric    
Tipo de Produto: IGBT Modules    
Subcategoria: IGBTs