Fabricante: Mitsubishi Electric
Categoria de Produto: Módulos IGBT
Produtos: Módulos de Silício IGBT
Configuração: Dual
Coletor- Emissor Tensão VCEO Max: 1,2 kV
Tensão de Saturação do Coletor-Emissor: 2,1 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 C: 300 A
Corrente de fuga do emissor-porta: 500 nA
Pd - Dissipação de energia: 1890 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Marca: Mitsubishi Electric
Tensão máxima do emissor de porta: 20 V
Estilo de montagem: Parafuso
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si