Módulo IGBT BSM50GX120DN2 - 50A 1200V
O Módulo IGBT BSM50GX120DN2 da Infineon Technologies é ideal para aplicações que exigem alta eficiência e robustez.
Especificações Técnicas:
Configuração: Full Bridge
Coletor - VCEO: 1.2 kV
Tensão de saturação do coletor-emissor: 2.2 V
Corrente contínua do coletor: 50 A a 25oC
Dissipação de potência: 360 W
Temperatura operacional: -40°C a +125°C
Corrente de dispersão do gate-emissor: 300 nA
Tensão do emissor do gate máxima: 20 V
Peso unitário de 197.622 g.
Aplicações:
Ideal para conversores de energia, inversores e sistemas de controle de motores.
FABRICANTE: INFINEON