Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Módulos IGBT
Produto: IGBT Silicon Modules
Configuração: Half Bridge
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1.2 kV
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.5 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 78 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 200 nA
Pd - Dissipação de potência: 400 W
Caixa / Gabinete: Half Bridge1
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Tray
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30.5 mm
Comprimento: 94 mm
Tensão do emissor do gate máxima: 20 V
Estilo de montagem: Chassis Mount
Tipo de Produto: IGBT Modules
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Largura: 34 mm
Peso unitário: 177.145 g