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Módulo IGBT BSM50GB120DN2 1200V 78A

Módulo IGBT BSM50GB120DN2 1200V 78A

SKU: 22951
R$1,469.99Preço

Fabricante: Infineon

Categoria de produto: Módulos IGBT

Produto: IGBT Silicon Modules

Configuração: Half Bridge

Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1.2 kV

Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.5 V

Corrente contínua do coletor a 25ºC: 78 A

Corrente de dispersão do gate - emissor: 200 nA

Pd - Dissipação de potência: 400 W

Caixa / Gabinete: Half Bridge1

Temperatura operacional mínima: - 40 C

Temperatura operacional máxima: + 150 C

Embalagem: Tray

Marca: Infineon Technologies

Altura: 30.5 mm

Comprimento: 94 mm

Tensão do emissor do gate máxima: 20 V

Estilo de montagem: Chassis Mount

Tipo de Produto: IGBT Modules

Subcategoria: IGBTs

Tecnologia: Si

Largura: 34 mm

Peso unitário: 177.145 g

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