Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Módulos IGBT
Produto: IGBT Silicon Modules
Configuração: Hex
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.4 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 45 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 300 nA
Pd - Dissipação de potência: 230 W
Caixa / Gabinete: EconoPIM2
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 125 C
Embalagem: Tray
Marca: Infineon Technologies
Altura: 17 mm
Comprimento: 107.5 mm
Tensão do emissor do gate máxima: 20 V
Estilo de montagem: Chassis Mount
Tipo de Produto: IGBT Modules
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Largura: 45 mm
Peso unitário: 180 g