Fabricante: Infineon    
Categoria de produto: Módulos IGBT        
Produto: IGBT Silicon Modules    
Configuração: Half Bridge    
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1.2 kV    
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.1 V    
Corrente contínua do coletor a 25ºC:    625 A    
Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA    
Pd - Dissipação de potência: 2500 W    
Caixa / Gabinete: 62 mm    
Temperatura operacional mínima:    - 40 C    
Temperatura operacional máxima:    + 125 C    
Embalagem: Tray    
Marca: Infineon Technologies    
Altura: 30.5 mm    
Comprimento: 106.4 mm    
Tensão do emissor do gate máxima: 20 V    
Estilo de montagem: Chassis Mount    
Tipo de Produto: IGBT Modules        
Subcategoria: IGBTs    
Tecnologia: Si    
Largura: 61.4 mm    
Peso unitário: 368.819 g