Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Módulos IGBT
Produto: IGBT Silicon Modules
Configuração: Dual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1.2 kV
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.1 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 300 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA
Pd - Dissipação de potência: 1.25 kW
Caixa / Gabinete: 62 mm
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 125 C
Embalagem: Tray
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30.5 mm
Comprimento: 106.4 mm
Tensão do emissor do gate máxima: 20 V
Estilo de montagem: Chassis Mount
Tipo de Produto: IGBT Modules
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Largura:61.4 mm