Características Gerais:
Produto: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) BSM10GP120
Tensão nominal: 1200V
Corrente nominal: 10A
Tipo de encapsulamento: Módulo em caixa plástica (package)
Aplicação: Dispositivo de controle de energia em sistemas eletrônicos de potência
Principais Especificações Elétricas:
Tensão máxima de coletor-emissor (Vces): 1200V
Tensão máxima de gate-emissor (Vges): ±20V
Corrente de coletor contínua (Ic): 10A
Corrente de coletor de pico (Icp): 30A
Tensão de threshold de ligação (Vth): 4V
Resistência térmica do encapsulamento (RthJC): 2.5°C/W
Temperatura de operação (Tj): -40°C a 150°C
Características de Proteção:
Proteção contra curto-circuito
Proteção contra sobretensão
Proteção contra sobrecorrente
Características Mecânicas:
Encapsulamento: Módulo de plástico
Número de pinos: 7 pinos
Dimensões físicas: 62mm x 35mm x 8mm
Peso: Aproximadamente 25 gramas
Notas Adicionais:
O módulo IGBT BSM10GP120 é projetado para aplicações que exigem alta potência e alta tensão.
É recomendado o uso de dissipadores de calor adequados para garantir uma operação segura e confiável.
As especificações técnicas acima são fornecidas pelo fabricante e podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. É sempre recomendado verificar as informações mais recentes junto ao fabricante ou fornecedor.