Modelo: 7MBR75U4B120B
Tensão Máxima: 1200V
Corrente Máxima: 75A
Tipo de Dispositivo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Número de Fases: Monofásico
Configuração: Half-Bridge (meia-ponte)
Características Elétricas:
Tensão de Coletor-Emissor: 1200V
Tensão de Gate-Emissor: +/- 20V
Corrente de Coletor Contínua: 75A
Corrente de Pico de Coletor: 300A
Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 1.8V (a 75A)
Características Térmicas:
Temperatura de Operação: -40°C a 150°C
Resistência Térmica Junção-Caixa (RthJC): 0.68°C/W
Resistência Térmica Junção-Ambiente (RthJA): 40°C/W
Recursos de Proteção e Controle:
Proteção contra sobretensão
Proteção contra sobrecorrente
Proteção contra sobreaquecimento
Detecção de falha de curto-circuito
Isolação elétrica entre a parte de potência e a parte de controle
Aplicações:
Inversores de frequência
Fontes de alimentação comutadas
Controle de motor
Sistemas de energia solar e eólica
Equipamentos de soldagem
E outros sistemas de controle de potência de alta tensão e alta corrente