Características Principais:
Modelo: 7MBR50VP120-50
Tensão Nominal: 1200V
Corrente Nominal: 50A
Tipo de Dispositivo: IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
Configuração: Half-Bridge (Meia Ponte)
Encapsulamento: Módulo com invólucro isolado
Número de Pinos: 7
Características Elétricas:
Tensão de Coletor-Emissor (Vce): 1200V
Corrente de Coletor Contínua (Ic): 50A
Corrente de Coletor de Pico (Icp): 100A
Tensão de Porta-Emissor (Vge): ±20V
Tensão de Porta-Emissor de Pico (Vgep): ±30V
Tensão de Threshold de Porta (Vth): 3,0V
Corrente de Threshold de Porta (Ith): 7mA
Capacitância de Entrada (Cies): 6000pF
Capacitância de Saída (Coes): 1300pF
Capacitância de Transferência (Cres): 500pF
Características Térmicas:
Temperatura de Operação (Tj): -40°C a 150°C
Resistência Térmica Junção-Caso (RthJC): 0,81°C/W
Resistência Térmica Caso-Ambiente (RthCA): 0,29°C/W
Recursos Adicionais:
Proteção contra sobrecorrente
Proteção contra sobretemperatura
Proteção contra sobretensão
Proteção contra curto-circuito
Aplicações:
Inversores de frequência
Fontes de alimentação chaveadas
Controle de motor
Conversores de energia
Sistemas de soldagem
Equipamentos industriais e comerciais