Especificações:
Modelo: 7MBR50UB-120-50
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Tensão de alimentação: 1200V
Corrente contínua máxima: 50A
Tensão de controle: 15V
Potência máxima dissipada: 450W
Número de módulos IGBT: 7
Características de comutação:
Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V (a 25°C, IC = 50A)
Tempo de subida tr: 0.5μs (a 25°C, VCC = 600V)
Tempo de queda tf: 1.8μs (a 25°C, VCC = 600V)
Tempo de recuperação reversa trr: 1.0μs (a 25°C, IC = 50A, di/dt = -200A/us)
Proteções:
Sobretemperatura
Sobretensão de alimentação
Sobrecorrente
Sobretensão de controle
Temperatura de operação: -40°C a +150°C
Encapsulamento: Módulo com isolamento
Aplicações típicas: Inversores de potência, fontes de alimentação, sistemas de controle de motor, conversores de frequência, entre outros.