Características Principais:
Modelo: 7MBP200VEA-120-50
Tensão Máxima: 1200V
Corrente Máxima: 200A
Tipo de Componente: Módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
Encapsulamento: ENEC-A
Características Elétricas:
Tensão de Coletor-Emissor (Vces): 1200V
Tensão de Gate-Emissor (Vges): ±20V
Corrente Contínua de Coletor (Ic): 200A
Corrente Contínua de Gate (Ig): ±20A
Tensão de Isolamento (Viso): 2500Vrms
Características Térmicas:
Resistência Térmica Junction-Case (Rth(j-c)): 0,21 °C/W
Temperatura de Operação (Tj): -40°C a +150°C
Temperatura de Armazenamento (Tstg): -40°C a +125°C
Características Mecânicas:
Encapsulamento: ENEC-A
Peso: 320g
Recursos e Aplicações:
O módulo IGBT 7MBP200VEA-120-50 é amplamente utilizado em aplicações industriais, tais como acionamento de motores elétricos, conversores de energia, sistemas de controle de energia, fontes de alimentação e inversores de frequência.
Com sua alta tensão de bloqueio (Vces) de 1200V e corrente de coletor (Ic) de 200A, é capaz de suportar altas cargas de corrente e tensão em ambientes industriais.
O encapsulamento ENEC-A fornece uma excelente dissipação de calor e proteção contra curtos-circuitos e sobrecargas.
O módulo também possui uma resistência térmica baixa (Rth(j-c)), o que permite uma dissipação eficiente de calor durante a operação.
É recomendado seguir as diretrizes do fabricante para a correta instalação, conexão e controle do módulo IGBT