Características Gerais:
Modelo: 2MBI400U4H-120
Tipo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Tensão Máxima de Coletor-Emissor (Vce): 1200V
Corrente Máxima de Coletor (Ic): 400A
Corrente Máxima de Pulso (Icp): 600A
Tensão de Isolamento (Visol): 2500Vrms
Configuração: N-Channel
Encapsulamento: Módulo com pinagem padrão
Temperatura de Operação (Tj): -40°C a +150°C
Características Elétricas:
Tensão de Satuação Coletor-Emissor (Vce(sat)): 2.1V (máx.) a 400A
Tensão de Corte Coletor-Emissor (Vce(off)): 4.5V (máx.)
Ganho de Corrente DC (hFE): 30 (mín.) a 400A
Tempo de Comutação (ton/toff): 1.2µs (máx.)
Capacitância de Saída (Coe): 8000pF (típ.)
Proteções e Recursos Adicionais:
Proteção contra sobretensão e subtensão
Proteção contra corrente excessiva
Proteção térmica interna
Diagnóstico de falha (fault)
Controle de frenagem interna
Monitoramento de tensão
Aplicações:
Inversores de frequência
Fontes de alimentação
Acionamentos de motores
Sistemas de controle de potência
Sistemas de tração elétrica