Características Principais:
Modelo: 2MBI200U4B-120-50
Tensão de alimentação: 1200V
Corrente máxima: 200A
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Configuração: Número de série 2MBI
Número do dispositivo: 200
Encapsulamento: B (B-25, caixa com terminal inferior)
Modo de operação: 1200V
Frequência de chaveamento: 50Hz
Especificações Elétricas:
Tensão de coletor-emissor máxima (Vces): 1200V
Tensão de controle máxima (Vge): ±20V
Corrente de coletor contínua máxima (Ic): 200A
Corrente de pulso máxima (Icp): 400A
Tensão de isolamento (Visol): 2500V (entre coletor e emissor)
Tensão de isolamento (Visol): 2500V (entre controle e emissor)
Tensão de saturação máxima (Vce(sat)): 3.2V (a corrente do coletor é 200A)
Características Térmicas:
Resistência térmica - junção ao caso (Rth(jc)): 0.3°C/W
Resistência térmica - caso ao dissipador (Rth(cs)): 0.06°C/W
Temperatura de operação (Tj): -40°C a 150°C
Temperatura de armazenamento (Tstg): -40°C a 125°C
Outras Características:
Proteção contra sobretensão (clamping)
Proteção contra sobrecorrente
Proteção contra curto-circuito
Tempo de recuperação reversa mínimo (trr): 1.4µs
Tempo de comutação (ton/toff): 0.9µs