Características principais:
Modelo: 2MBI150UM-120-50
Tensão máxima de bloqueio: 1200V
Corrente máxima: 150A
Tipo de dispositivo: Módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
Design compacto e encapsulado para facilitar a montagem e o uso em aplicações industriais
Especificações elétricas:
Tensão máxima de coletor-emissor (Vces): 1200V
Tensão máxima de gate-emissor (Vges): ±20V
Corrente contínua máxima do coletor (Ic): 150A
Corrente de pulso máxima do coletor (Icp): 300A
Tensão de saturação típica do coletor-emissor (VCEsat): 2.2V
Tensão de limiar de gate-emissor (VGE(th)): 4.5V
Resistência de condução típica (RCE(on)): 0.17Ω
Características térmicas:
Temperatura de operação (Tj): -40°C a 150°C
Temperatura de armazenamento (Tstg): -40°C a 125°C
Resistência térmica junção-estojo (Rth(j-c)): 0.5°C/W
Resistência térmica estojo-ambiente (Rth(c-a)): 0.1°C/W
Recursos adicionais:
Proteção contra curto-circuito
Proteção contra sobretensão
Proteção contra sobrecorrente
Isolamento elétrico entre o gate e o coletor
Baixa perda de comutação
Aplicações:
Inversores de frequência
Fontes de alimentação comutadas
Motor drives
Controle de motor
Aplicações industriais de alta potência