Especificações elétricas:
Tensão máxima de trabalho: 600V
Corrente máxima de trabalho: 75A
Características principais:
Tipo de dispositivo: Módulo IBGT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Configuração: NPN (negativo-positivo-negativo)
Estrutura do módulo: Isolado (com isolamento elétrico entre a parte de controle e a parte de potência)
Tecnologia de fabricação: Semicondutor de potência de última geração
Parâmetros elétricos típicos:
Tensão de saturação (Vce(sat)): < 2V
Tensão de bloqueio reversa (Vces): > 600V
Tensão de disparo (Vge(th)): 3V (valor típico)
Corrente de saturação (Ic(sat)): 75A (valor máximo)
Ganho de corrente (hFE): Alto ganho de corrente para amplificação eficiente
Resistência térmica (Rth): Valor típico de resistência térmica
Recursos adicionais:
Proteção contra sobretensão e subtensão
Proteção contra corrente excessiva
Proteção contra curto-circuito
Tempo de comutação rápido para eficiência energética
Baixa perda de potência durante a operação
Aplicações:
Conversores de energia
Inversores de frequência
Fontes de alimentação
Sistemas de acionamento de motores
Eletrônica de potência em geral